नंद फ्लैश मेमोरी एक विशिष्ट प्रकार की फ्लैश मेमोरी है जो श्रृंखला में आयोजित मेमोरी सेल कनेक्शन का उपयोग करती है, एक नंद तर्क द्वार जैसा दिखता है। यह सेटअप NOR फ्लैश मेमोरी के विपरीत है, जो समानांतर में मेमोरी कोशिकाओं को जोड़ता है। परिणाम एक मेमोरी चिप है जो चिप के भौतिक क्षेत्र का अधिक कुशलता से उपयोग करता है, जिससे एक समान आकार के फार्म कारक पर अधिक मेमोरी क्षमता की अनुमति मिलती है।

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